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        1. 功率半導體的新產品--第7代“X系列”

          欄目:行業資訊 發布時間:2015-08-20

          富士電機株式會社,富士電機(中國)有限公司自8月起開始出貨功率半導體的新產品--第7代“X系列”IGBT※1模塊的樣品,特發通知。 ※1:Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管) 1.背景 IGBT模塊是一種能實現節能和穩定供電的核心器件,被廣泛應用于各種工業設備如電機驅動用變頻器、不間斷電源裝置(UPS)、風能和太陽能發電設備用功率調節器等。預計市場規模將于2016年達到約4,262億日元,之后保持每年6.0%的增長率。(數據來源:WSTS)。 近年來隨著全球能源需求增長,各個領域對工業設備都提出了更高的節能要求。而工廠等生產現場則非常注重機器設備的小型化、節省空間化及高可靠性。 本模塊是能夠滿足以上需求的最新產品,本次將首先出貨1,200V耐壓產品的樣品,今后計劃擴大產品陣容,逐次推出650V以及1,700V耐壓產品。 2.產品特點 (1)降低電耗,促進節能 通過對構成本模塊的IGBT元件和二極管元件進行厚度減薄和微細化改進,實現了最佳元件結構。因此與傳統產品(本公司第6代“V系列”)相比,變頻器的工作電耗降低,有助于設備的節能和降低電力成本。 (2)實現設備小型化 使用最新研發的絕緣基板增強了模塊的熱擴散性能。除上述效能(降低電耗)以外還能抑制發熱,從而較以往模塊實現了約36%的小型化※2。此外還將最高連續工作溫度從以往的150℃提高至175℃,所以能做到在維持設備原尺寸不變的同時,輸出電流實現了最大35%※3的增幅。這些都促進了設備小型化和總成本的降低。 ※2:1,200V 75A PIM產品的安裝面積比 ※3:本公司估算值 (3)提高設備可靠性   通過修改模塊的結構和使用材料,提高了高溫條件下的工作穩定性和持久性,有助于提高設備本身的可靠性。

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