富士電機出展PCIM Asia

為期3天的上海國際電力原件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia ）于2016年6月28日在上海世博展覽館盛大開幕。聚焦可再生能源技術，富士電機（中國）有限公司攜新品“四美”亮相展會，分別是富士電機X系列第7代IGBT 、使用第7代IGBT的大功率次時代核心模塊（HPnC）、面向車載應用的高電流密度六合一IGBT模塊，以及全SiC 2in1模塊（SiC MOS-FET & SiC肖特基二極管）。此外，還展示有面向三電平逆變應用的IGBT模塊、混合型IGBT模塊（Si-IGBT和SiC-肖特基二極管）、第2代SJ-MOSFET 600V系列、高速W系列單管IGBT 等。 隨著“四美”在中國市場的集中式亮相，富士電機（中國）有限公司半導體營業本部本部長塚越 敏夫和富士電機（中國）有限公司半導體營業本部營業部長徐國偉向中國工控網解讀了該部門在中國行走的行業戰略：其一，以性能更高、競爭力更強、性價比更好的產品提升其在傳統工業市場的占有率；其二，借助具有優勢的汽車功率半導體 搶抓中國新能源汽車行業發展機遇。 面對倍顯疲態的中國傳統工業自動化市場和中國經濟“新常態”，每個自動化廠商都在積極應對。近年來隨著全球能源需求增長，各個領域對工業設備都提出了更高的節能要求，工廠等生產現場則非常注重機器設備的小型化、節省空間化及高可靠性。今年，富士電機半導體營業本部特推出富士電機X系列第7代IGBT ，同時展出了使用第7代IGBT的大功率次時代核心模塊（HPnC）樣品。 IGBT模塊是一種能實現節能和穩定供電的核心器件，被廣泛應用于各種工業設備如電機驅動用變頻器、不間斷電源裝置（UPS）、風能和太陽能發電設備用功率調節器等。 據塚越 敏夫和徐國偉介紹，富士電機X系列第7代IGBT 通過對構成本模塊的IGBT元件和二極管元件進行厚度減薄和微細化改進，實現了最佳元件結構。因此，與第6代“V系列”相比，變頻器的工作電耗降低，有助于設備的節能和降低電力成本。此外，第7代IGBT采用更為先進的封裝技術，如75A PIM-IGBT 封裝尺寸縮減36%，更趨小型化；最高連續工作溫度從以往的150℃提高至175℃，所以能做到在維持設備原尺寸不變的同時，擴展電流等級，例如50A PIM-IGBT輸出電流實現50%的增幅。